在距第一代 UFS 解決方案（128 GB）過去四年之后，倍儲三星半導體于 1 月 30 日在其官網上宣布 1TB 嵌入式通用閃存 eUFS 2.1 已可量產。存容

據悉，宣布新款 UFS 閃存采用了三星第五代 V-NAND 技術，倍儲可以提供前代 20 倍的存容存儲容量，比普通 microSD 卡快上 10 倍。量每量產在相同的速傳輸星閃存封裝尺寸內，1TB eUFS 閃存可包含 16 個三星最新的宣布 V-NAND 閃存和新開發的專有主控，可以存儲多達 260 條 10 分鐘的倍儲 4K UHD 視頻。

新款 UFS 閃存還有著高達 1000MB/s 的速傳輸星閃存速度，可以在 5 秒內傳輸 5GB 的宣布高清視頻，是普通 microSD 卡速度的10倍。此外，其隨機讀取速度提高了 38％ ，最高可達 58,000 IOPS 。隨機寫入比高性能 microSD 卡快 500 倍，最高可達 50,000 IOPS 。

據其官方公告，三星將于今年上半年在其位于韓國的 Pyeongtaek 工廠擴大其第五代 512Gb V-NAND 的產量，以全面滿足全球各類閃存采購商。