圖:眾多顧客在產品展臺前試用新發布的?話華為5G手機。
荷蘭阿斯麥(ASML)目前在售的知沒深紫外線(DUV)光刻機中,有4種高端的光刻國產浸潤式光刻機,采用多重曝光技術,機何晶片最高能實現7納米晶片工藝。納米而通過多重曝光會導致良率降低、?話工時效率低、知沒成本增加等問題。光刻國產所以如果光刻機精度跟得上的機何晶片情況下,一般不會采用多次曝光的納米技術,因為效率降低,?話同時良率也會顯著下滑,知沒最終導致成本可能成倍數上漲,光刻國產非常不劃算的機何晶片。
不過要進入5納米,納米就必須使用極紫外線(EUV)光刻機,因為DUV光刻機精度有限,不能無限的多次曝光。目前DUV光刻技術最多4次曝光,且只能達到7納米。